 |
High Inrush 63V 24V 3.1x1.6mm Surface Mount Chip Fuse
รายละเอียดสินค้า:
| ได้รับการรับรอง: | UL,CUL |
| หมายเลขรุ่น: | CQ12LH |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 4000PCS |
|---|---|
| ราคา: | negotiable |
| รายละเอียดการบรรจุ: | เทปในม้วน 4000 ชิ้นต่อม้วน |
| เวลาการส่งมอบ: | 2 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T / T, MoneyGram |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| ประเภท: | ชิปฟิวส์ | ขนาด: | 1206 |
|---|---|---|---|
| ปัจจุบัน: | 1-20A | แรงดันไฟฟ้า: | 63 โวลต์ / 24 โวลต์ |
| ความเร็ว: | ระเบิดช้า | บรรจุภัณฑ์: | เทปในรอก |
| เน้น: | ฟิวส์ชิปยึดพื้นผิว 1.6 มม.,ฟิวส์ชิปติดพื้นผิว 63V,ฟิวส์เป่าช้าเซรามิก 1.6 มม |
||
รายละเอียดสินค้า
3216 SMD Ceramic Slow Blow ฟิวส์ชิป Inrush สูง CQ12LH 3.1x1.6 มม. 1-20A 63V 24V สำหรับพอร์ตไฟอินพุต
ส่วนประกอบที่ได้รับการยอมรับการอนุมัติสำหรับแคนาดาและสหรัฐอเมริกา 1A ~ 20A
ขัดจังหวะการให้คะแนน
1A ~ 8A: 100 แอมแปร์ที่ 63V DC
10A ~ 20A: 150 แอมแปร์ที่ 24V DC
ใบสมัคร
• โทรศัพท์มือถือ
•ชุดแบตเตอรี่
•กล้องดิจิตอล
•เครื่องเล่นดีวีดี
•ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์
ลักษณะทางไฟฟ้า
| จัดอันดับในปัจจุบัน | 1 นิ้ว | 2 นิ้ว | 3 นิ้ว | 8 นิ้ว | |
| นาที | นาที | MAX. | MAX | สูงสุด | |
| 1A ~ 2A | 4 ชม | 1 ก.ล.ต. | 120 วินาที | 3 ก.ล.ต. | 0.05 วินาที |
มิติ
หมายเลขชิ้นส่วน
| ประเภทสินค้า | การพิมพ์ |
(ก) |
(V) |
ต้านทานความเย็น | แรงดันไฟฟ้าตกสูงสุด | ค่าI²T | ทำลายความจุ | น้ำหนัก (ผลิตภัณฑ์เดียว) |
| CQ12LH 001 | ซ | 1A | 63V | 0.23 | 0 | 0.17 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 002 | น | 2A | 63V | 0.075 | 0 | 0.72 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 003 | ป | 3A | 63V | 0.032 | 0 | 1.35 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 004 | ส | 4A | 63V | 0.018 | 0 | 2.24 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 005 | ที | 5A | 63V | 0.013 | 0 | 3 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 006 | ยู | 6A | 63V | 0.009 | 0 | 4.68 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 007 | วี | 7A | 63V | 0.008 | 0 | 6.37 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 008 | ว | 8A | 63V | 0.007 | 0 | 8.32 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 010 | 10 | 10A | 24 โวลต์ | 0.006 | 0 | 12 | 150 แอมแปร์ที่ 24V DC | 0.0152 |
| CQ12LH 012 | 12 | 12A | 24 โวลต์ | 0.005 | 0 | 17.28 น | 150 แอมแปร์ที่ 24V DC | 0.0152 |
| CQ12LH 015 | 15 | 15 ก | 24 โวลต์ | 0.003 | 0 | 29.25 | 150 แอมแปร์ที่ 24V DC | 0.0152 |
| CQ12LH 020 | 20 | 20A | 24 โวลต์ | 0.002 | 0 | 52 | 150 แอมแปร์ที่ 24V DC | 0.0152 |
| CQ12LH 1.50 | เค | 1.5A | 63V | 0.125 | 0 | 0.394 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 2.50 | โอ | 2.5A | 63V | 0.05 | 0 | 0.938 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
| CQ12LH 3.50 | ร | 3.5 ก | 63V | 0.027 | 0 | 1.838 | 100 แอมแปร์ที่ 63V DC |
0.0152 |
1. วัดที่≦ 10% ของกระแสไฟฟ้าที่กำหนดและ 25 ° C
2. หลอม I2t ที่ 1000% ของพิกัดกระแส
3. ได้รับการรับรอง (cRUus) และปรับแต่งได้ถึง 125V
คุณสมบัติ
ก.แรงดันไฟฟ้าสูงและกระแสไฟฟ้าสูง
ข.แรงดันสูงและความสามารถในการทำลายสูง
ค.ดับอย่างรวดเร็ว
ง.วัสดุปลอดสารตะกั่วและปราศจากฮาโลเจน
จ.ป้องกันการระเบิดได้ดี
ฉ.เวลาในการหลอมที่แม่นยำและการตัดเสร็จสมบูรณ์
ก.เหมาะสำหรับกระแสพิกัด 1A ~ 20A
ข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม
อุณหภูมิในการทำงาน -55 ° C ถึง + 125 ° C
การสั่นสะเทือน MIL-STD-202G วิธี 201 (10-55 Hz, 0.06 นิ้ว, การเดินทางทั้งหมด)
สเปรย์เกลือ MIL-STD-202G วิธี 101 เงื่อนไขการทดสอบ B (48Hrs)
ความต้านทานฉนวน MIL-STD-202G วิธี 302 เงื่อนไขการทดสอบก
ความต้านทานต่อการบัดกรีความร้อน MIL-STD-202G วิธีที่ 210 เงื่อนไขการทดสอบ B (10 วินาทีที่ 260 ° C)
ช็อกความร้อน MIL-STD-202G, วิธี 107, เงื่อนไขการทดสอบ B (-65 ° C ถึง + 125 ° C)
ข้อกำหนดทางกายภาพ
การก่อสร้างวัสดุ
วัสดุตัวเครื่อง: เซรามิก
วัสดุสิ้นสุด: เงิน (Ag), นิกเกิล (Ni), ดีบุก (Sn)
องค์ประกอบฟิวส์: เงิน (Ag)
บรรจุภัณฑ์
1. Tape & Reel: เทป 8 มม
2. ข้อกำหนดบรรจุภัณฑ์: EIA Standard 481-D
3. จำนวน: 4,000 ชิ้นต่อม้วน
ประเภทฟิวส์
ฟิวส์มีสี่ประเภทพื้นฐาน:
(1) ฟิวส์ Slow Blow / Time lag
(2) ฟิวส์เป่าช้าองค์ประกอบคู่
(3) ฟิวส์ที่ทำหน้าที่อย่างรวดเร็ว
(4) ฟิวส์ทำหน้าที่เร็วมาก
ฟิวส์เป่าช้าเหมาะอย่างยิ่งสำหรับวงจรที่มีไฟกระชากชั่วคราวหรือการเปิดเครื่องวงจรเหล่านี้
รวมถึงมอเตอร์หม้อแปลงหลอดไส้และโหลดตัวเก็บประจุฟิวส์ที่ออกฤทธิ์เร็วตอบสนองอย่างรวดเร็วและใช้ในวงจรที่ไม่มีกระแสไหลเข้าชั่วคราวฟิวส์ที่ออกฤทธิ์เร็วมากมักมีการเชื่อมโยงกับเงินเนื่องจากฟิวส์จำเป็นต้องมีความสามารถในการ จำกัด กระแสจึงมักใช้ฟิวส์เหล่านี้เพื่อป้องกันวงจรเซมิคอนดักเตอร์